2N7002ET1G 是安森美推出的N 沟道小信号 MOSFET，采用 Trench 沟槽工艺，封装为行业通用 SOT-23.凭借稳定电气性能、小巧体积，成为消费电子与工控电路的核心常用器件。从核心额定参数来看，其漏源击穿电压高达 60V，栅源电压支持 ±20V 宽幅范围;25℃常温下稳态漏极电流 260mA，短时 5 秒内可达 310mA，85℃高温环境仍能稳定输出 190mA 电流，脉冲峰值电流更是达到 1.2A，适配高低温复杂工况。
电气特性上，该器件 4.5V 电压下导通电阻最大仅 3.0Ω，10V 时低至 2.5Ω，极低导通损耗可有效降低电路发热;输入电容 26.7pF、栅极电荷 0.81nC，开关响应速度快，适配高频切换场景。工作温度覆盖 **-55℃~+150℃**，满足工业级温控需求，同时符合无铅、无卤素及 RoHS 环保标准，焊接耐温可达 260℃，适配批量贴片生产。
应用场景覆盖低压侧负载开关、电平转换电路、DC-DC 转换器，广泛用于数码相机、PDA、手机等便携设备，也可用于小型继电器、LED 驱动、传感器信号控制等电路。电子工程师选型时，这款器件凭借高耐压、低内阻、宽温域三大优势，性价比远超同规格竞品。
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