电子设备向小型化高效化升级的当下，核心元器件的性能直接决定终端产品竞争力。ON Semiconductor 推出的 BAV70LT1G 共阴极双开关二极管，凭借 100V 耐压、低耗快恢复的卓越性能，搭配汽车级合规认证，成为汽车电子、工业控制、消费电子等多领域优选，为设备稳定高效运行筑牢根基。

应用场景方面，BAV70LT1G精准匹配高要求需求。带 “S - 前缀” 的 SBAV70L 系列，专为汽车及需特殊场地、控制变更要求的应用打造，通过 AEC-Q101 认证并具备 PPAP 能力，完美契合汽车电子对安全稳定性的严苛标准，广泛应用于汽车电源管理、信号处理等关键系统。同时，产品采用无铅、无卤素 / 无溴化阻燃剂设计，符合 RoHS 合规要求，顺应绿色电子趋势，在消费电子、通信设备、工业自动化控制等场景中，同样展现极强适配性，保障设备复杂工况下长期稳定运转。

核心参数上，BAV70LT1G 尽显硬核实力。每只二极管反向击穿电压达 100V，反向电压额定值同为 100V，高压耐受能力出色。反向漏电流控制精准，100V 反向电压下最大 0.01μA，70V、150℃高温工况下仅 100μA，有效降低反向能耗。正向电压表现优异，1.0mA 正向电流时最大 715mV，150mA 时最大 1250mV，低正向压降减少导通损耗。此外，1MHz 频率、0V 反向电压下电容最大 1.5pF，保障高频信号完整性;反向恢复时间最大 6.0ns，快速响应满足高频切换需求。

极限性能与热特性表现强悍。25℃环境下，每只二极管最大正向电流 200mA，峰值正向浪涌电流 500mA;重复峰值正向电流达 1.5A，非重复峰值正向电流(1μs 脉冲)高达 31A，抗冲击能力突出。热性能上，FR-5 基板下总功耗 225mW，25℃以上按 1.8mW/℃降额;氧化铝基板下总功耗 300mW，降额速率 2.4mW/℃，用户可按需选择。结温与存储温度覆盖 - 55℃至 150℃，从容应对极端环境。

封装与采购设计实用便捷。产品采用 SOT-23 封装，小巧紧凑提升电路板空间利用率，适配高密度布局。引脚布局合理(1、2 脚为阳极，3 脚共阴极)，焊接焊盘设计科学，便于批量自动化焊接。提供多种订货型号，BAV70LT1G、SBAV70LT1G 以 3000 只 / 卷带出货，BAV70LT3G、SBAV70LT3G 为 10000 只 / 卷带，统一 “M” 标识，方便灵活采购。