12 月 29 日消息，台积电 2nm 工艺(N2)量产传闻终落定，其官网 “逻辑制程” 页面最新更新(更新时间 12 月 16 日)显示，该工艺已在 2025 年第四季度正式进入量产阶段，此前页面标注技术状态为 “开发按计划推进，进展良好”。

值得关注的是，N2 是台积电首款搭载纳米片 Nanosheet 技术的 GAA 晶体管工艺，官方明确其为业界在密度和能源效率上的最先进半导体技术，可实现全制程节点的性能与功耗双重突破。

关于核心性能，台积电早在 2024 年 12 月底的 IEEE 国际电子设备会议(IEDM)上已详细披露：相较成熟的 N3E 工艺，N2 的晶体管密度提升 1.15 倍，功耗可降低 24%-35%，性能提升 15%，同时 SRAM 密度达到 37.9Mb/mm²，一举创下业界新纪录。

高端工艺对应高昂成本，台积电 N2 初期晶圆代工价格达到 3 万美元 / 片，折合人民币超 20 万元，如此高定价决定其仅能被资金与需求双充足的头部企业采用。

以往台积电先进工艺向来是苹果优先锁定，此次 N2 工艺原定首发适配苹果 2026 年推出的 iPhone18 系列，却意外被 AMD 抢先拿下首发权。今年 4 月 AMD 正式对外官宣，旗下代号为 Venice 的第六代 EPYC(霄龙)处理器，将独家采用台积电 2nm 制程技术，彼时 AMD CEO 苏姿丰还与台积电 CEO 魏哲家同台展示 EPYC 对应晶圆，直观体现双方的紧密合作关系。