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型号规格 |
产品品牌 |
封装形式 |
主要参数 |
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MBRD835LT4G |
ONsemi |
DPAK |
正向压降(Vf):510mV@8A 直流反向耐压(Vr):35V 整流电流:8A 反向电流(Ir):1.4mA@35V |
2000 |
2000 |
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MC14070BDR2G |
ONsemi |
SOIC-14 |
逻辑类型: 异或门 通道数: 4 电源电压: 3V~18V 静态电流(最大值): 1uA |
2000 |
2000 |
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MC14071BDR2G |
ONsemi |
SOIC-14 |
逻辑类型: 或门 通道数: 4 电源电压: 3V~18V 静态电流(最大值): 1uA |
2000 |
2000 |
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MC33078DR2G |
ONsemi |
SOP-8 |
放大器数: 双路 最大电源宽度(Vdd-Vss): 36V 增益带宽积(GBP): 16MHz 输入失调电压(Vos): 2mV |
2000 |
2000 |
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MC33274ADR2G |
ONsemi |
FLP-14(SOIC-14) |
放大器数: 四路 最大电源宽度(Vdd-Vss): 36V 增益带宽积(GBP): 24MHz 输入失调电压(Vos): 1mV |
2000 |
2000 |
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MC74HC74ADR2G |
ONsemi |
SOP-14 |
类型: D-型 触发沿: 上升沿 电源电压: 2V~6V 时钟频率: 35MHz |
2000 |
2000 |
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MC78L05ABDR2G |
ONsemi |
SOP-8 |
输出类型: 固定 最大输入电压: 30V 输出电压: 5V 输出电流: 100mA |
2000 |
2000 |
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MJD127T4G |
ONsemi |
DPAK |
类型: PNP 集射极击穿电压(Vceo): 1000@4V,4A 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 1000@4V,4A 功率(Pd): 1.75W |
2000 |
2000 |
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SG3525ANG |
ONsemi |
DIP-16 |
AC-DC控制器和稳压器 |
25 |
25 |
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LM79L06 |
HTC |
TO-92 |
线性稳压器(LDO) |
1000 |
1000 |
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